tecsis 超高压压力传感器承诺守信「在线咨询」

tecsis差压传感器

专门用于低压、差压的压力传感器，带或不带 3 ? 位数码LED显示，精l确度1%或0.6%。

该压力传感器很适合于干燥无腐蚀性气体的超低压、差压、绝l对压力和容积流量的测量。

它主要用于加热器、空调、过滤器、除尘技术，也可用于医l疗技术。

分级测量范围从 0...0.5 mbar 到 0...1000 mbar.

显示为 3 ? 位数码LED显示，数字高度为 12.7mm。

测量元件是一个压敏芯片。集成的放大器提供了适合生产工艺的输出信号 (比如 4...20 mA)。

该压力传感器满足 EN 61326 的电磁兼容性（EMC）要求。

传感器的分类

多传感器信息融合技术的基本原理就像人的大脑综合处理信息的过程一样，将各种传感器进行多层次、多空间的信息互补和优化组合处理，终产生对观测环境的一致性解释。在这个过程中要充分地利用多源数据进行合理支配与使用，而信息融合的终目标则是基于各传感器获得的分离观测信息，通过对信息多级别、多方面组合导出更多有用信息。tecsis差压传感器专门用于低压、差压的压力传感器，带或不带3?位数码LED显示，精l确度1%或0。这不仅是利用了多个传感器相互协同操作的优势，而且也综合处理了其它信息源的数据来提高整个传感器系统的智能化。

压力传感器是使用为广泛的一种传感器。传统的压力传感器以机械结构型的器件为主，以弹性元件的形变指示压力，但这种结构尺寸大、质量重，不能提供电学输出。随着半导体技术的发展，半导体压力传感器也应运而生。根据不同的用途，电阻应变片的阻值可以由设计者设计，但电阻的取值范围应注意：阻值太小，所需的驱动电流太大，同时应变片的发热致使本身的温度过高，不同的环境中使用，使应变片的阻值变化太大，输出零点漂移明显，调零电路过于复杂。其特点是体积小、质量轻、准确度高、温度特性好。特别是随着MEMS技术的发展，半导体传感器向着微型化发展，而且其功耗小、可靠性高。

温度范围

压力传感器的温度范围分为补偿温度范围和工作温度范围。补偿温度范围是由于施加了温度补偿，精度进入额定范围内的温度范围。而汽l油机空燃比的控制是采用调整与进气量相匹配的供油量实现的，因此，进气空气流量的测量精度直接影响空燃比的控制精度。工作温度范围是保证压力传感器能正常工作的温度范围。技术参数 （量程15MPa-200MPa）参数 单位 技术指标 参数 单位 技术指标灵敏度 mV/V 1.0±0.05 灵敏度温度系数 ≤%F·S/10℃ ±0.03非线性 ≤%F·S ±0.02～±0.03 工作温度范围 ℃ -20℃～+80℃滞后 ≤%F·S ±0.02～±0.03 输入电阻 Ω 400±10Ω重复性 ≤%F·S ±0.02～±0.03 输出电阻 Ω 350±5Ω蠕变 ≤%F·S/30min ±0.02 安全过载 ≤%F·S 150% F·S零点输出 ≤%F·S ±2 绝缘电阻 MΩ ≥5000MΩ(50VDC)零点温度系数 ≤%F·S/10℃ ±0.03 推荐激励电压 V 10V-15V

压电效应

压电效应可分为正压电效应和逆压电效应。正压电效应是指：当晶体受到某固定方向外力的作用时,内部就产生电极化现象,同时在某两个表面上产生符号相反的电荷；当外力撤去后，晶体又恢复到不带电的状态；当外力作用方向改变时，电荷的极性也随之改变；晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比。压电式传感器大多是利用正压电效应制成的。逆压电效应是指对晶体施加交变电场引起晶体机械变形的现象，又称电致伸缩效应。用逆压电效应制造的变送器可用于电声和超声工程。压电敏感元件的受力变形有厚度变形型、长度变形型、体积变形型、厚度切变型、平面切变型 5种基本形式（见图）。压电晶体是各向异性的，并非所有晶体都能在这 5种状态下产生压电效应。也可直接用F46作隔离膜片，传递液可选用氟油，则可起双重隔离作用。例如石英晶体就没有体积变形压电效应，但具有良好的厚度变形和长度变形压电效应。